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新着情報

2024.08.27

【Tektronix】次世代パワー半導体GeO2など厳選8セミナ|10/2-3(水-木)開催

株式会社テクトロニクス&フルーク


次世代パワー半導体デバイス最前線から

現場の計測課題&ソリューションまで最先端材料GeO2二酸化ゲルマニウム/ナノイオニクス素子など厳選8セッション


開催日時: 2024年10月2-3日(水-木)10:00 -15:00 

形式  : オンライン・セミナ|事前登録制 ~ZOOMにて開催~

参加費 :無料


本イベントでは、注目のパワー半導体材料『二酸化ゲルマニウムGeO2』と、人工知能の進展を背景に期待される新概念『ナノイオニクス素子』における気鋭の研究者2名による半導体


デバイスの未来を垣間見られるお話と、半導体材料研究開発~市場導入フェーズで必須となる測定ノウハウ・現場で役立つ知識や具体的事例・業務効率化の方法など、エンジニア・研究者の皆さま必見のセミナの、合計8選をご用意されています。


各セッションの後にはその場で講師に質問いただけるQ&Aの時間もございます。

是非ご視聴ください。



━━━━半導体デバイス研究開発・エンジニア必見 注目セミナ━━━━

▶「新しいパワー半導体材料 二酸化ゲルマニウムの特徴と魅力」

  講師:立命館大学 半導体応用研究センター 金子健太郎 氏

  Keyword:SiC/GaN, ワイドバンドギャップ, 低損失性, 作製コスト


▶「固体内のイオン輸送を制御して動作する新概念ナノイオニクス素子

  -脳型人工知能素子や次世代半導体素子などの創製- 」

  講師:NIMS ナノアーキテクトニクス材料研究センター 寺部一弥 氏

  Keyword:人工知能, 高速演算処理, 高性能素子, 局所的イオン輸送


━━すぐ役立つ技術ノウハウ・測定課題&ソリューション厳選6セミナ━━

▶「パワー半導体デバイスの基本パラメータ測定について」

  Keyword: GaN/SiC, JEDEC, TEG


▶「信頼性試験と並列試験手法」

  Keyword: 品質評価, 業務効率アップ, バーンイン試験, 加速試験


▶「PCM/TEGテストとKeithleyのS530型半導体パラメトリック・テスト・システム」

  Keyword: 高スループット, ウェハ製造, テスト項目


▶「超速パルスIV測定の総まとめ」

  Keyword: 発熱&チャージトラップ, 配線・プロービングのコツ


▶「ホール効果測定のノウハウと測定ソリューション」

  Keyword:ホール測定の基礎, 抵抗レンジ別, 機器選定方法


▶「低抵抗測定とカスタム抵抗計ソリューション」

  Keyword:電圧誤差, オフセット抵抗, 抵抗測定の仕組み&コツ


●お申込みはこちらから。


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